小型烘箱在光刻過程中的應用

小型烘箱的用途很廣，在很多的實驗中也都有用到，現(xiàn)在就講一講小型烘箱在光刻過程中的應用！以下是光刻工序的流程圖！

光刻工序需要多步流程，如下圖所示：

1.涂光刻膠

在涂光刻膠之前，將清洗干凈的硅片表面涂上附著性增強劑或將硅片放在惰性氣體中進行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與硅片之間的粘附性，防止顯影時光刻膠的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側向腐蝕。

光刻膠的涂覆使用甩膠機來進行的。首先，用真空吸法將硅片吸在甩膠機的吸盤上，將有一定粘度的光刻膠滴在鬼片的表面上，然后以設定的轉速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在硅片表面被均勻的展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜。光刻膠的厚度是由光刻膠的粘度和甩膠機的轉速來控制的！

2.預烘干

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80攝氏度左右的小型烘箱中進行烘干，小型烘箱是惰性氣體的環(huán)境，烘干時間一般是15-30分鐘，以便除去光刻膠中的溶劑。

3.掩模對準

由于集成電路制作過程是逐層加工的，各層之間圖形的位置不能錯位，所以每次光刻時都要講掩膜板與硅片上的對中記號對準，以確保掩膜板上的圖形與硅片上已加工的各層圖形套準

4.曝光

將高壓水銀燈G線（波長為436nm）或I線（波長為365nm）通過掩膜照射在硅片上的感光膠上，使光刻膠獲得與掩膜圖形相同的感光圖形！

5.顯影

將曝光后的硅片浸泡到特定的顯影液中，并控制時間使得未曝光的部分被溶解掉，從而將圖形復制到光刻膠上，顯影后的圖像受到顯影液的影響，顯影后的硅片需要用純凈水進行清洗！

6.后烘干
為了使殘留在光刻膠中的有機溶液揮發(fā)掉，提高光刻膠的粘結性及光刻膠的耐腐蝕性，通常將硅片放在120-200攝氏度的小型烘箱，而將硅片放在120度到200度的溫度下烘干20-30分鐘

以上就是小型烘箱在光刻過程中的作用了！